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介電常數(shù)測(cè)試儀GDAT-C > gdat-c介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
產(chǎn)品展示
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
產(chǎn)品描述:GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目 前國(guó)內(nèi)Z高的160MHz
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀,介電常數(shù)試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目 前高的160MHz。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 % ± 滿(mǎn)度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz ~160MHz)
工作誤差 ≤7% ± 滿(mǎn)度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿(mǎn)度值的 2%(10MHz~160MHz)
電感測(cè)量范圍 4.5nH ~ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ~ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選
1.極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
4.測(cè)微桿分辨率:0.001mm
電感:
線(xiàn)圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
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