介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
1、新購(gòu)儀器的檢查
新購(gòu)的儀器能先用LKI-1電感組,將各個(gè)電感在各個(gè)不同頻率測(cè)試Q值,把測(cè)試的情況,例使用的電感號(hào)、測(cè)試頻率Q讀數(shù)、電容讀數(shù)等多次測(cè)得數(shù)及測(cè)試環(huán)境條件逐一詳細(xì)記錄,并把記錄保存起來(lái),以供以后維修時(shí)作參考。
LKI-1電感組是測(cè)試時(shí)作輔助電感用的,不能把這些電感當(dāng)作高精度的標(biāo)準(zhǔn)電感看待。隨著測(cè)試環(huán)境條件不同,測(cè)得電感器Q值和分布電容可能略有不同。
2.使用和保養(yǎng)
高頻Q表是比較精密的阻抗測(cè)量?jī)x器,在合理使用和注意保養(yǎng)情況下,才能保證長(zhǎng)期穩(wěn)定和較高的測(cè)試精度。
a.熟悉本說(shuō)明書(shū),正確地使用儀器;
b.使儀器經(jīng)常保持清潔、干燥;
c.本儀器保用期為18個(gè)月,如發(fā)現(xiàn)機(jī)械故障或失去準(zhǔn)確度,可以原封送回本廠,免費(fèi)修理。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。
同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:
按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。
例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。
該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
附表一,介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表 | ||||
BH916測(cè)試裝置 | GDAT高頻Q表 | |||
平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz | |
間距可調(diào)范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 | |
夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 30-500/18-220pF | |
測(cè)微桿分辨率 | 0.001mm | 主調(diào)電容誤差 | <1%或1pF | |
夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 (1MHz) | Q測(cè)試范圍 | 2~1023 |
- 上一個(gè): BDJC固體材料介電擊穿強(qiáng)度測(cè)試儀
- 下一個(gè): BDJC-50KV介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀 擊穿電壓